Việc đa dạng hóa là điều cần được suy nghĩ cẩn thận. Sau Kirin 9030, con đường để đạt >300 Mtr/mm2 có thể được cải thiện một cách từ từ.

Bằng sáng chế CN117751427A của Huawei là một phương pháp có thể được sử dụng trong quy trình N+3 cho kim loại khoảng cách tối thiểu (M0), về cơ bản thay thế EUV SALELE bằng DUV SALELEx2 rẻ hơn.

Trái ngược với các báo cáo trước đây, kích thước ô SRAM N2 của TSMC không nhỏ hơn N3 hoặc N5.